京大 世界最高耐圧の半導体素子を実現 unnnews_admin 2012年6月4日 京大 世界最高耐圧の半導体素子を実現2012-06-04T19:51:00+09:00 京都大, 社会・文化 コメントはありません これまで使われていたSi(ケイ素:シリコン)は6000〜8000ボルト程度の耐圧が限界だった。しかし、今回開発されたSiC半導体は絶縁破壊や熱に強いという特徴を持つため、半導体素子の中で最高の耐圧を実現した。これにより、国内だけで原子力発電所1〜2基分の電力を節約できると期待されている。
コメントを残す