これまで使われていたSi（ケイ素：シリコン）は6000〜8000ボルト程度の耐圧が限界だった。しかし、今回開発されたSiC半導体は絶縁破壊や熱に強いという特徴を持つため、半導体素子の中で最高の耐圧を実現した。これにより、国内だけで原子力発電所1〜2基分の電力を節約できると期待されている。